大庆溢泰半导体材料有限公司年产2-4英寸24万片磷化铟抛光片项目
项目详情
大庆溢泰半导体材料有限公司年产2-4英寸24万片磷化铟抛光片项目
扩建工程概况
项目名称：大庆溢泰半导体材料有限公司年产2-4英寸24万片磷化铟抛光片项目；
项目性质：扩建；
建设单位：大庆溢泰半导体材料有限公司；
建设地点：黑龙江省大庆市高新区新泰路3号；
占地面积：在现有厂区内建设，不新增占地面积；
项目总投资：23000万元；
劳动定员：本项目新增劳动定员300人；
年运行时间：全年生产300天，每天24h，共计7200h。
建设规模及内容：本项目年产24万片磷化铟晶片，年产36万片微电用砷化镓晶片，120万片锗晶片。相应新建废气治理设施：2号碱式喷淋塔、2号酸式喷淋塔、3号碱式喷淋塔，对应新建3根排气筒分别为DA008、DA009、DA010，高度均为15m。新建废液治理设施：1座磷化铟废水处理站、1座锗晶片含锗废水预处理设施；2座脱氨塔，分别用于处理磷化铟、砷化镓、锗晶片生产线排放的高含氨氮废水，对应新建2根排气筒分别为DA011、DA012，高度均为15m。
建设周期：2026年9月—2027年9月。
项目名称：大庆溢泰半导体材料有限公司年产2-4英寸24万片磷化铟抛光片项目；
项目性质：扩建；
建设单位：大庆溢泰半导体材料有限公司；
建设地点：黑龙江省大庆市高新区新泰路3号；
占地面积：在现有厂区内建设，不新增占地面积；
项目总投资：23000万元；
劳动定员：本项目新增劳动定员300人；
年运行时间：全年生产300天，每天24h，共计7200h。
建设规模及内容：本项目年产24万片磷化铟晶片，年产36万片微电用砷化镓晶片，120万片锗晶片。相应新建废气治理设施：2号碱式喷淋塔、2号酸式喷淋塔、3号碱式喷淋塔，对应新建3根排气筒分别为DA008、DA009、DA010，高度均为15m。新建废液治理设施：1座磷化铟废水处理站、1座锗晶片含锗废水预处理设施；2座脱氨塔，分别用于处理磷化铟、砷化镓、锗晶片生产线排放的高含氨氮废水，对应新建2根排气筒分别为DA011、DA012，高度均为15m。
建设周期：2026年9月—2027年9月。
建设单位名称及联系方式
建设单位：大庆溢泰半导体材料有限公司
联系人：史远 联系方式：13836924690
